半導(dǎo)體過(guò)壓保護(hù)器是根據(jù)可控矽原理采用離子注入技術(shù)生產(chǎn)的一種新型保護(hù)器件，具有精確導(dǎo)通、快速響應(yīng)（響應(yīng)時(shí)間ns級(jí)）、浪涌吸收能力較強(qiáng)、雙向?qū)ΨQ(chēng)、可靠性高等特點(diǎn)。由于其浪涌通流能力較同尺寸的TVS管強(qiáng)，可在無(wú)源電路中代替TVS管使用。但它的導(dǎo)通特性接近于短路，不能直接用于有源電路中，在這樣的電路中使用時(shí)必須加限流元件，使其續(xù)流小于最小維持電流。半導(dǎo)體過(guò)壓保護(hù)器有貼裝式、直插式和軸向引線(xiàn)式三種封裝形式。

半導(dǎo)體放電管優(yōu)點(diǎn)：

1、擊穿前相當(dāng)于開(kāi)路，絕緣電阻很大，漏電流很?。?、具有雙向?qū)ΨQ(chēng)特性；

3、回應(yīng)速度很ns 級(jí)；

4、擊穿電壓一致性好。

半導(dǎo)體放電管缺點(diǎn)：

1、相對(duì)于陶瓷放電管通流量較小，只有幾百A；2、擊穿電壓只有若干特定值；

3、電容較大，有幾十至幾百pF。

半導(dǎo)體放電管的選型：

在選用TSS 時(shí)，一般應(yīng)遵循以下原則：

1、截止電壓VDRM的選?。航刂闺妷罕仨毚笥诒槐Ｗo(hù)的電路的最大工作電壓；2、轉(zhuǎn)折電壓VBO的選?。恨D(zhuǎn)折電壓必須小于設(shè)備能承受的最大瞬態(tài)峰值電壓；3、維持電流IH的選?。壕S持電流必須大于設(shè)備的工作電流和短路電流；4、寄生電容C 的選?。荷娙莞鶕?jù)電路所允許的插入損耗或信號(hào)傳輸?shù)念l率選擇；5、浪涌通流的選取：浪涌電流的選擇根據(jù)電路或浪涌測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)要求進(jìn)行不同等級(jí)的選擇；

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